美光与联电达成合作，生产28nm存储控制芯片

      据台媒工商时报报道，存储器厂商美光与晶圆代工厂联电达成和解后，美光进一步宣布与联电合作，保障未来车用、移动装置及关键客户产品的供应。业界解读，美光将会利用联电28nm产能，生产DRAM模块的暂存频率驱动器（RCD）及NAND闪存模块的控制IC等关键组件。

业界指出，美光与联电达成和解有两个关键，一是联电支付给美光金额保密的和解金，二是联电增加给美光内存模块内建控制芯片的逻辑制程产能支持。因此，美光除了自己下单，也可能通过合作伙伴向联电下单，以提高DRAM模块RCD芯片或NAND Flash模块控制IC等产能，以解决内存模块长短料问题。